PC-3000 Flash如何操作/处理故障内存芯片
有很多不同的存储芯片存在读取问题，例如未纠正的 ECC 错误、被“FF”或其他模式填充的转储等。
在本文中，我们想讨论不同的有问题的存储芯片及其解决方案。
![Toshiba-256GB-TLC-NAND-Flash-Memory-Chip-620x400[1].jpg](/uploadfile/202508/ccdf7229a3c2508.jpeg "Toshiba-256GB-TLC-NAND-Flash-Memory-Chip-620x400[1].jpg")
TLC三星
EC D7 98 CA
在 PC-3000 Flash SSD 版中，添加了此类存储芯片的 6.4 版方法 – 读取重试。在这种情况下
，使用读取重试方法可以解决读取质量差的问题，而不会降低功率或冷却。但是，可能需要使用替代方法，因为读取重试选项不能保证 100% 的结果。
替代方法是降低功率或冷却。
为了降低功率，建议使用外部电源开关，允许在 1.50-3.3 V 范围内工作，电压调节为 0.01 V。
无法通过 PC-3000 Flash v.1、v.2 和 v.3 读卡器常规方式执行内存芯片读取的电源程序，我们建议在 PC-3000 闪存读卡器 v.4 或 PC-3000 闪存读卡器 v.3 上使用这种情况带电源适配器。
需要使用0.01 V步进的原因：
…现在我明白为什么0.01的步进如此重要了。
低于 1.57 V 有很多错误
1.57-只纠正错误
1.58 – 非常快纠正
1.59 – 几乎没有任何纠正
1.58-2.5 V 也有同样的情况。
EC D7 98 CE
EC DE 98 CE
EC A5 98 CE
这些是另一组有问题的芯片。
但是，冷却过程对此类存储芯片没有帮助。
这些存储芯片的唯一方法是降低功率。
这些芯片的一个特点是，如果电压低于 2.7 V，则无法读取 ID。
您可以在最小电压的边界上为这些芯片获得良好的结果，这就是为什么需要以 0.01 V 步进检查不同的电压值。
此外，在极少数情况下，ECC错误较多，所描述的方法没有得到很好的结果。
这种情况可以通过 4.1 V 电源值来固定。
根据数据表，存储芯片应该只能在 2.7-3.6 V （3.3 +/- 10%） 的范围内工作，但较大的 存储芯片可能会损坏，但在实践中它可以在 4 V 电源值下工作（但增加到更大的值是危险）。
让我们总结一下：
读取重试工作在3.6-3.9 V之间，但有时需要设置4 V值，ECC将得到完好纠正。
完整版本见PC300中国技术论坛
