PC-3000 Flash 如何检测和消除坏字节
所有现代存储芯片的质量都非常低。这意味着每一代新一代存储芯片的坏细胞都比上一代多得多。发生这种情况是因为存储芯片生产过程中使用的工艺越来越小（最初是 65 纳米（纳米），而不是 45 纳米、32 纳米、25 纳米，现在是 20 纳米和 18 纳米、14 纳米），芯片内的电池变得越来越小，电池之间的隔离层越来越薄。同时，开发人员可以使用最新的可用技术流程在同一区域更换更多数量的电池，这就是为什么存储芯片变得更便宜并且它们的容量每年都在增长（但它们的质量越来越差）。
现代存储芯片中的错误数量变得如此之大，以至于即使是全新的存储芯片也已经有很多坏单元（误位）。这是一个真正的问题，因为刚刚生产的新芯片已经很糟糕了，如果制造商将其放入SSD或闪存设备中，则根本行不通。这就是为什么制造商决定在所有存储芯片中添加新功能，称为“坏列管理器”——它是一种表格，用于替换有关损坏单元的所有记录。当存储芯片下线时，该表已经出现在存储芯片中，并且该表已经包含有关所有坏单元的信息，这允许控制器在所有写入和读取作中不使用它们。
ACE Lab 开发人员决定添加特殊工具，允许在使用此表中的信息读取过程中切割所有坏细胞。但是对于某些内存芯片和某些控制器来说，这个坏列是不够的，它们使用某种额外的列，这些列也位于转储中。不幸的是，我们的自动选项有时不能很好地工作，并且某些基于SM3257EN控制器的情况有时需要手动删除此添加。
存在 非常简单的方法 如何检测 – 这是否 坏字节 在芯片读取后转储中显示，是否：
您可以尝试使用页面设计器 -> 位图工具自行检查坏字节。它是分析转储结构非常有用的工具。如果您将移动到页面末尾，并且会看到页面之间的移动，这将是案例包含 BB 的第二个迹象。
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最后，您可以尝试启动特殊的坏字节切割方法，该方法位于以下位置：数据准备->坏字节切割。
完整版见PC3000中国技术论坛
